北京超弦存储器研究院

招聘简章

 

研究院简介：

北京超弦存储器研究院于2020年9月在北京经济技术开发区成立。作为产学研合作平台，研究院聚焦国际先进的存储器技术研发和高端人才培养，致力于实现国产存储器芯片制造技术的持续迭代，努力成长为世界存储器芯片的技术创新高地。

 

研究院愿景：成为世界存储器芯片的技术创新高地、知识产权高地、人才培养高地及国际合作桥梁。

研究院使命：聚焦存储器芯片技术的路径探索，建立由企业主导、产学研紧密结合的创新体系，实现国产存储器技术的自主迭代。

研究院价值观：创新、合作、洞察力、使命感。

 

研究方向：

研究院的研究方向集中于DRAM制造技术，在DRAM新架构、新材料、新工艺、先进封装、先进光刻技术、近存计算和高带宽存储等领域，对未来DRAM量产技术可能存在的主要路径开展系统的工艺研发和设计-制造协同优化。

 

福利待遇：

行业有竞争力的薪酬+国际顶尖导师资源+北京户口

六险一金、带薪年假（法定+福利）、交通补贴、餐补、年度体检、节日礼金、生日慰问金、团建活动等

 

工作地点：北京亦庄经济技术开发区京东贝科技园

 

联系人：Amy Wang  电话：16601076787

投递方式一：网申，搜索下方网申地址投递简历

 网申地址：https://

投递方式二：内推，通过找超弦的朋友内推，简历发给TA

 

面试流程：简历初筛-面试-测评-笔试-offer

招聘岗位

 

岗位名称	专业要求	学历要求	工作内容
芯片设计工程师	电子大类/计算机/物理/数学等专业	硕士及以上	负责先进制程的DRAM及其他新型存储芯片的设计
器件设计工程师	电子大类/物理/材料		根据产品需求以及工艺能力，设计半导体器件结构
光刻工艺研发工程师	物理/光学/化学/化工/微电子/材料/机械等理工类相关专业		负责新型存储器研发所需的先进光刻工艺，新型材料及新型架构的研发
国产装备验证工程师			负责与工艺平台协调，将国产装备的研发情况与工艺平台的产品要求相结合，推进国产装备的产业应用
原子层沉积（ALD）工艺研发工程师			负责新型存储器研发所需的材料和工艺能力评估和产线验证，对材料进行系统表征测试（TEM，XRD，SIMS，SEM，AFM等）
PET工程师	计算物理/数学/计算机/微电子/软件工程/自动化/通信/电子信息/光学等		负责计算光刻技术的应用，OPC和DFM的先进节点开发及光罩数据整合
专利申请工程师	电子大类/物理/计算机/集成电路等相关专业		负责集成电路领域的专利挖掘、申报，以及专利申请文件和意见陈述书的审核。
项目管理工程师	电子大类		负责研究院纵向、产业化等项目进度管理，确保项目运营有序高效